邱华檀[1]2002年在《碰撞效应对射频等离子体鞘层特性及刻蚀剖面的影响》文中认为本文建立了一套自洽的碰撞射频等离子体鞘层理论模型，系统地研究了碰撞效应对等离子体鞘层的物理特性、离子入射到基板上的能量分布和角度分布以及刻蚀剖面的影响。 首先将Liberman的无碰撞射频鞘层模型进行推广，考虑了离子与中性粒子的电荷交换碰撞效应，建立了描述碰撞射频等离子体鞘层动力学特性的自洽模型，研究了碰撞效应，射频偏压，电源参数等对射频鞘层的瞬时厚度及电场分布的影响。其次，利用已建立的碰撞等离子体鞘层模型和Monte-Carlo方法模拟了离子在射频鞘层电场中的运动过程，不仅考虑了离子同中性粒子的电荷交换碰撞，还考虑了它们之间的弹性碰撞过程，研究了碰撞效应对入射到基板上的离子能量分布和角度分布的影响。最后，针对等离子体刻蚀工艺，建立了微结构区剖面的时空演化模型，并模拟了碰撞效应和电源参数对刻蚀剖面演化的影响。 数值结果表明：随着放电气压增加，离子在基板上的能量分布逐渐地由双峰分布变成单峰分布，而且低能离子的数目也逐渐地增加。入射到基板上的离子呈小角分布，而且放电气压等参数对角度分布的影响不是太明显。碰撞效应和低电源功率减缓刻蚀的进程。比较小的掩膜厚度和大的刻蚀线宽都有利于刻蚀的速度和深度。
戴忠玲[2]2004年在《射频及脉冲偏压等离子体鞘层流体动力学模拟》文中研究指明针对导体基板,本文建立了自洽的射频偏压等离子体鞘层流体动力学模型,研究了等离子体参数对无碰撞射频偏压等离子体鞘层物理特性和轰击到基板上离子能量分布的影响。模型包括描述离子运动的含时间相关项的连续性方程、动量方程和决定鞘层内电势时空分布的泊松方程以及可以自洽地决定基板电位和鞘层厚度关系的电流平衡方程,是一套非线性方程组。采用四阶龙格-库塔法求解电流平衡方程,采用叁对角矩阵的“追赶法”来求解泊松方程,采用有限差分法求解离子的流体动力学方程。实现了较宽射频频率和等离子体参数范围的射频偏压等离子体鞘层时空演化特性的模拟。我们发现外加射频频率ω与离子等离子体频率ω_(pi)的比值β,即β=ω/ω_(pi),是决定射频偏压等离子体鞘层物理特性以及离子能量分布的一个关键物理量,发现在低射频频率条件下(β<<1),离子流呈明显的周期性振荡,并且射频频率越低,离子流振荡的幅值越大;在高射频频率条件下(β>>1)离子流几乎不随时间变化,此时离子流与时间无关的假定是合理的;模拟结果还表明基板电压和鞘层厚度随时间呈周期性变化;并且发现基板电压并不像许多研究者所假定的那样,呈正弦规律变化,而是随时间呈非正弦规律变化;鞘层内电势、电场、离子密度和电子密度皆随时间呈周期性变化,且在靠近基板处,它们的空间梯度较大;得到了具有双峰结构的离子能量分布,发现等离子体参数如射频频率ω与离子等离子体频率ω_(pi)的比值β和功率对离子能量分布有很大影响;离子能量分布的模拟结果和他人的实验结果符合得很好。 针对含多种离子成分的等离子体,本文建立了自洽的射频偏压等离子体鞘层流体动力学模型,研究了含多种离子成分的无碰撞射频偏压等离子体鞘层物理特性以及等离子体参数对轰击到基板上的离子能量分布的影响。发现在低频情况下,离子能量分布的高能峰和低能峰都有峰裂现象产生,而在高频条件下,能峰分裂变得不明显;随着射频功率的增加、离子密度的减小和电子温度的减小,都会使高能峰的位置向高能量方向移动,峰裂的现象也变得明显。 针对绝缘基板,本文建立了自洽的射频和脉冲偏压等离子体鞘层流体动力学模型,研究了脉冲偏压等离子体鞘层物理特性以及脉冲偏压频摘要率、占空比和幅值对绝缘基板表面充电效应和轰击到绝缘基板上离子能量分布的影响,并将基于绝缘基板的射频和脉冲偏压等离子体鞘层物理特性以及绝缘基板表面充电效应进行了比较。模型包括离子连续性方程、动量方程和泊松方程,特别是提出了可以自洽地决定绝缘基板表面电势、表面电荷密度和鞘层厚度关系的等效电路方程。模拟结果表明,在脉冲偏压处于“断”的状态时,鞘层内电子会到达绝缘基板,有助于减小绝缘基板表面的充电效应;结果还表明,在基板上所加脉冲频率对绝缘基板上的表面电势随时间的变化规律影响很大,只有在较高脉冲频率条件下,表面电势才趋近于理想方波;发现轰击到绝缘基板上的离子能量分布同射频偏压下的离子能量分布一样,具有双峰结构,所不同的是脉冲偏压下的离子能量分布不像射频偏压下的离子能量分布那样,能量分布是连续的,脉冲偏压下的离子能量分布近似为断续的,因而可以得到较为均匀的离子能量;发现脉冲偏压的频率、占空比和幅值是决定离子能量分布和绝缘基板表面充电效应的重要参数;发现脉冲偏压下表面充电效应要比射频偏压下的小。 针对高放电气压等离子体,本文采用将自洽的考虑鞘层内碰撞效应的射频偏压等离子体鞘层流体动力学模型和蒙特卡罗(Mente一Carlo)方法相结合的混合模型,研究了碰撞效应对射频偏压等离子体鞘层物理特性以及离子能量分布和角度分布的影响规律,其中在流体动力学模型中,将鞘层和预鞘区域作为整体来考虑,避免了碰撞鞘层边界条件选取的不确定性,解决了解的奇异性和物理量在预鞘和鞘层边界处不连续的问题。在蒙特卡罗方法中,采用由自洽的流体动力学鞘层模型所得到的自洽的射频鞘层瞬时电场,而不是像许多研究者那样采用简化的半经验电场或者采用实验数据作为输入参数。关键词:等离子体;射频及脉冲偏压鞘层;流体动力学模型:碰撞效应; 蒙特卡罗模拟
眭佳星[3]2015年在《C_4F_8/Ar等离子体刻蚀SiO_2的多尺度研究》文中研究表明随着大规模及超大规模集成电路的迅猛发展,碳氟等离子体刻蚀Si02以其特有的高刻蚀速率、高选择性和高各向异性在现代集成电路制造业中得到了广泛应用。C4F8/Ar混合气体在保证刻蚀速率的同时能够实现更高的刻蚀选择性,因此在等离子体刻蚀工艺中备受关注。本文建立了由反应器模型、鞘层模型及刻蚀槽模型耦合的多尺度模型,研究了不同参量,如：放电气压、功率、偏压幅值、偏压功率、占空比等,对鞘层特性及刻蚀槽形貌演化的影响规律。为了得到更加精确的腔室离子及中性粒子密度空间分布,本文采用商业软件CFD-ACE+,用于模拟电感耦合等离子体(ICP),得到不同气压、功率、进气流比例下的腔室离子及中性粒子密度分布。鞘层模型包括射频等离子体鞘层仿真模型,脉冲调制射频等离子体鞘层解析模型和仿真模型。鞘层解析模型的双电源分别为低频脉冲源和高频射频源,加在同一个极板上。研究了鞘层厚度和极板电位随时间、高低频电流以及低频脉冲频率的变化规律以及低频阶梯形脉冲源对鞘层厚度和极板电位的调制规律。鞘层的仿真模型是由流体模型和蒙特卡洛模型耦合的混合模型,主要研究鞘层的特性,并计算统计出到达极板的离子能量分布和角分布。将由CFD-ACE+腔室模型得到的离子密度作为鞘层边界条件,结合鞘层混合模型分别给出不同参数下的鞘层特性。最后,将刻蚀槽模型结合腔室离子及中性粒子流密度和极板附近的离子能量分布和角分布,模拟不同参数下的刻蚀剖面演化。结果显示,在C4F8/Ar等离子体刻蚀工艺中,CFx+,C2Fx+,C+, Ar+, F+是主要的反应离子。同时,所有的反应离子密度在腔室中心处最大,越靠近腔室边缘离子密度越小,且各离子密度随放电气压及功率的增加而增大。鞘层解析模型研究发现,鞘层厚度和极板电位受到脉冲电流和射频电流的共同调制,且低频脉冲电流调制占主导地位。鞘层仿真模型研究表明,鞘层特性受到放电气压、功率、射频和脉冲偏压幅值以及占空比的共同作用。极板的离子能量分布和角分布受到各参数的明显影响,且射频偏压幅值及脉冲幅值增大,导致高能离子增多,离子角度分布更为集中。当占空比减小时,低能离子增加,高能离子减少,离子定向性明显变差。说明通过调制低频脉冲参数可以部分地实现到达极板的离子能量和离子流的独立控制。同时,气压、功率、偏压幅值及频率等对刻蚀速率及刻蚀深度都有很大的影响。通过对脉冲调制射频等离子体中SiO2刻蚀槽形貌的研究发现,刻蚀槽形貌的演化受到射频源和脉冲源的共同调制,且脉冲调制占主导地位。
袁强华[4]2009年在《双频容性耦合等离子体特性的实验研究》文中进行了进一步梳理等离子体刻蚀是超大规模集成电路制造工艺中最为关键的工艺流程之一,是实现超大规模集成电路生产中的微细图形高保真地从光刻模板转移到硅片上不可替代的工艺。等离子体反应器和等离子体工艺是十分紧密地联系在一起的。随着集成电路特征尺寸不断地减小,器件线宽越来越窄,集成度越来越高,且膜层越来越薄,对等离子体加工处理及优化过程提出越来越高的要求,需要发展新的能满足特定要求的等离子体源和技术。在这样的背景之下,新型双频驱动的容性耦合等离子体源(双频CCP)被研究,并期望将其用到微电子工业当中。在这种使用两个不同频率电源驱动的双频CCP中,一方面可以通过调节高频电源的功率来控制等离子体密度,进而控制入射到鞘层上的离子通量,另一方面还可以通过调节低频电源的功率,对离子的能量进行控制。目前,对这种双频CCP放电的物理过程和相应的刻蚀机理,仍有很多问题需要研究。本文利用补偿朗缪尔探针诊断技术、光强标定的发射光谱技术和质谱技术,研究了双频CCP中的一些物理特性和对反应基团的调控行为。1、利用补偿朗缪尔探针技术和Druyvesteyn方法对60/13.56 MHz双频CCP氩气放电的研究表明,在约10 mTorr的低气压下,离子的通量和能量的独立调控有可能在60/13.56 MHz双频CCP中实现,即用60 MHz的高频源控制等离子体密度(离子通量),而用13.56 MHz的低频源来控制离子轰击基片的能量。在50 mTorr及更高的气压下,低频功率也对等离子体密度有明显的影响。在实验中我们发现,在50 mTorr及更高的气压下,随着低频功率的增加,电子能量概率分布函数EEPF由类Druyvesteyn分布的形式变为类麦克斯韦分布的形式。同时,电子密度则随低频功率的上升而增加,而电子温度则随低频功率的上升而降低。与数值模拟的结果比较可知,产生这种变化趋势的原因,除了有低频功率本身所导致的电离因素以外,还有二次电子发射导致的电离过程的影响。高低频功率之间耦合的存在,使得这种独立调控难以实现。EEPF随气压的演变表明,在较低的气压下以随机加热为主,在较高的气压下以碰撞加热为主。对射频感应电流的测量表明,在较低的气压下还有等离子体串联共振的加热机制存在。等离子体参数随径向位置的分布则表明,等离子体沿径向位置存在一定程度的不均匀性。2、利用光强标定的发射光谱技术,研究了27/2、60/2及60/13.56 MHz CHF3放电等离子体中,驱动频率及功率对反应基团的调控行为。研究显示,射频频率的选择对等离子体中反应基团的形成有重要影响。在双频CCP中,低频频率对反应基团的调控起着更加重要的作用。在我们的27/2和60/2 MHz放电研究中,改变2 MHz射频功率可以有效地调控CHF3等离子体中的活性基团F的相对密度及F/CF2相对密度之比。而这种对反应基团的调控行为在60/13.56 MHz双频CCP中则不能实现。形成这种现象的原因可能是因为,不同双频CCP中电子能量分布函数有差异,而等离子体中的化学反应过程对电子能量分布函数的变化非常敏感。研究显示,在27/2 MHz和60/2 MHz双频CCP中,可能具有相似的电子能量分布函数,而60/13.56 MHz双频CCP中的电子能量分布函数则有较大差别。3、利用质谱技术对CHF3放电等离子体的反应基团作了研究。质谱研究的结果显示,在射频驱动的CHF3放电等离子体中,存在着丰富的HF基团,而且,随着驱动频率和功率的升高这种基团更为丰富。
肖允庚[5]2008年在《射频容性耦合等离子体物理特性的PIC/MCC模拟研究》文中提出在超大规模集成电路的生产工艺中,采用射频容性耦合等离子体刻蚀技术可以实现各向异性的刻蚀过程,因此对射频等离子体的研究引起了科研人员的广泛关注。本文首先利用PIC/MCC方法考察中性气体为氩气的二维单频容性耦合等离子体的放电过程,并对其进行了数值模拟。文中给出了PIC/MCC模拟的计算流程,对所得到的等离子体密度、电场、电势的分布情况进行了分析,对比了不同电压、频率以及气压下的电子密度和电势分布的差异。结果表明,射频电压、频率以及气压均影响等离子体密度和电势分布。在进一步研究中,比较了不同初始条件对极板上离子能量分布和角度分布的影响。结果表明,当气体压强增大时,带有相对高能量的离子的数目减少,而在低能量段的离子的数目增加;随着射频电压的加大,入射离子的能量分布范围变大,入射的高能离子数增大,离子角度分布变窄;随着射频频率的提高,高能量离子的数目随着低能离子数目的减少而增加,因此能峰降低,高能离子分布明显增大。在容性耦合放电等离子体刻蚀工艺中,通常在放有基体的极板上施加以13.56兆赫兹的射频偏压,但这种单一频率的放电方法不能解决提高等离子体密度和控制刻蚀速率、刻蚀剖面之间的矛盾,因此近年来在极板上同时施加高频和低频两个射频偏压的双频容性耦合放电的刻蚀工艺越来越受到关注。所以本文最后又模拟了一维双频容性耦合放电过程,对不同低频射频电源电压下的等离子体放电参数和打在极板上的能量分布进行分析。结果表明,低频射频电源控制离子能量分布这一重要参数。
刘梁[6]2015年在《基于Monte Carlo方法的RIE工艺模拟》文中研究表明反应离子刻蚀(RIE)工艺,是MEMS加工工艺中使用最广泛的技术手段之一。RIE的计算机模拟可以帮助工艺设计者通过改变模拟条件,如射频功率、气体压力、刻蚀温度,得到不同的模拟结果,以此来选择最佳工艺条件。这对于降低MEMS器件设计与研制成本,缩短研发周期,有着非常重要的意义。本文利用流体力学模型及鞘层等效电路模型确定出RF鞘层的特性,包括鞘层的电压及电场的时空分布等。以Monte Carlo方法为基本模拟手段,研究了离子与中性粒子在RF鞘层中的运动过程,得到了到达刻蚀材料表面并对刻蚀有效的粒子流量分布。利用刻蚀速度的计算公式,根据粒子流量分布得到刻蚀材料表面某点处某时刻的局部刻蚀速率。最后通过水平集函数描述刻蚀剖面的初始形貌,通过刻蚀材料表面的速度场,求解Hamilton-Jacobi方程得到刻蚀轮廓的演化过程。通过改变不同的刻蚀条件,得到了刻蚀轮廓随时间的变化图以及不同射频功率下、不同气体下、不同温度下、改变反应气体后的刻蚀模拟轮廓。模拟结果表明：在200W～400W范围内,射频功率的增加,可加快刻蚀速率,进一步增加功率,刻蚀速率反而下降；随着压力的增加,刻蚀速率不断增加,并在15Pa左右达到最大值,随后刻蚀速率不断减小；刻蚀速率与温度成正比。最后将在一定工艺条件下反应粒子刻蚀的模拟结果与实验结果进行了对比,两者吻合的较好。本文的研究表明,水平集算法是一种适合模拟等离子体刻蚀轮廓演化的高效算法,它能够有效地描述等离子体刻蚀仿真过程中出现的各种复杂轮廓,可以很好地满足等离子体刻蚀工艺过程中复杂形貌演化的模拟需求。虽然本文没有将其扩展到叁维,但本论文将等离子体刻蚀的微观物理过程引入到了水平集方法中,为将来解决叁维等离子体刻蚀过程仿真计算量大的问题提供了一种新的技术思路。
刘传生[7]2008年在《双频容性耦合等离子体鞘层特性的流体力学模拟》文中研究指明容性耦合等离子体(CCP)被广泛地应用于微电子制造工业的刻蚀、薄膜沉积和其它表面处理工艺中。在刻蚀工艺中,反应腔室内的等离子体密度和轰击到电极上的离子能量起着极其重要的作用,因为等离子体密度直接影响刻蚀速率,离子能量则影响刻蚀的选择性及对产品的损伤,实现对等离子体密度和离子能量的独立控制可以间接的调制刻蚀率、选择性等工艺参数。双频CCP(DF-CCP)被认为是一种解决等离子体密度和离子能量分离控制的有效方法,可以产生大面积均匀等离子体,并且通过调节高、低频的放电参数可以有效的控制等离子体密度、轰击到基片上的离子能量等关键物理参数。其结构简单、成本低,因而在新一代的刻蚀设备中得到了广泛应用。等离子体必须经过鞘层才能与基片发生相互作用,因此,双频偏压容性耦合等离子体(DF-CCP)鞘层中的各物理参量及其物理过程对等离子体刻蚀工艺有着直接的影响,使得双频鞘层特性一直受到研究者们的关注。在第二章中针对双频偏压等离子体鞘层建立了一维流体力学模型。该模型假设离子满足流体力学方程,电子遵循玻尔兹曼关系,瞬时电场由泊松方程确定;并采用等效电路方法建立了电流平衡方程,来自洽地确定鞘层厚度和鞘层电势之间的关系。本章分别研究了在双射频偏压和双脉冲偏压条件下的鞘层特性及参数,如鞘层内的离子密度,电场的空间分布以及充电效应。结果表明:等离子体鞘层特性受高、低频共同调制,等离子体密度主要受高频调制,离子能量主要受低频调制。而且在双脉冲条件下绝缘基片上积累的电荷,明显低于双射频条件下的正电荷。在第叁章针对电极的位形为一个台阶或一个柱形圆槽情况,建立了二维的流体力学模型,研究了等离子体鞘层中各物理参量的变化规律。其中描述离子的流体力学方程采用通量修正算法(FCT)方法来解,二维的泊松方程用超松弛高斯—赛德尔迭代方法求得。计算的结果表明:极板电位与鞘层的厚度受到高低频电源的共同调制,鞘层内同一位置的电位降随着放电气压的增加而减小,且在电极附近等势线的形状与电极的位形相似,即所谓的“Plasma molding”效应;等离子体的密度也有与电位降类似的变化规律,而且电场和离子流速在电极位形发生变化的台阶内侧很强,且变化很快。
王懿翎[8]2007年在《射频电容耦合等离子体的流体动力学/Monte-Carlo混合模型数值模拟》文中研究说明针对导体极板，本文以氩气为研究对象，建立了一个自洽的等离子体流体动力学模型，研究了射频电容耦合等离子体的输运特性。该物理模型包括电子和离子的连续性方程、电子的能量方程以及泊松方程。通过求得的自洽电场，应用蒙特卡罗(Monte-Carlo)方法，模拟了碰撞效应下轰击到极板上离子的能量分布和角度分布。在一维情形下，给出了电子密度和离子密度时空分布、电场时空分布、电势时空分布、电子流和离子流的时空分布。在二维情形下，给出了电子密度和离子密度空间分布、电场空间分布、电势空间分布、电子流和离子流的空间分布。比较发现，二维情形下离子密度的空间分布不再呈对称分布。在进一步研究中，在考虑碰撞效应情况下，比较了不同初始条件对极板上离子能量分布和角度分布的影响。随着气压的增大，能峰变低能量变小而角度分布变大。而随着驱动电压的变大，能峰变低能量变大而角度分布变小。对于二维模型，同时记录了极板不同位置的离子轰击数，发现由于径向电场的存在，对离子的运动方向产生径向的偏移。与一维情形不同的是，能量分布在高能峰的右边出现第叁峰，整体呈叁峰分布，并且随着位置离中心轴越远第叁峰越明显；极板上的离子角度分布随着位置离中心轴越远而增大，对应于能量分布的第叁峰，角度分布也出现了一个小的波峰，依然是随着位置离中心轴越远，波峰效果越明显。
芦岩[9]2004年在《碰撞对非对称射频等离子体鞘层物理特性的影响》文中研究表明近些年来低温等离子体在微电子工业中得到越来越广泛的应用，例如利用等离子体物理气相沉积或化学气相沉积方法可以制备一些光电子薄膜材料，利用等离子体刻蚀技术可以制备超大规模的集成电路。在实际的等离子体工艺中，离子入射到基片上的能量分布和角度分布是两个关键的物理量，它们直接影响着薄膜的沉积速率、刻蚀速率和刻蚀图形的剖面。为了控制入射到基片上的离子能量分布和角度分布，通常在极板上施加一个射频(RF)偏压，从而在基片附近形成一个射频等离子体鞘层。 对于大多数活性射频等离子体刻蚀工艺，由于放电室中两个电极的面积不等，使得两个电极附近的等离子体鞘层是非对称性的。本文考虑了离子与中性粒子的碰撞效应，通过等离子体流体力学方程组以及泊松方程，建立了一种描述这种非对称射频鞘层动力学特性的自洽动力学模型。数值结果显示了碰撞效应对极板上鞘层的瞬时电压、瞬时电子鞘层厚度、鞘层内的离子密度和动能的空间分布以及两个极板上鞘层电压之差等物理量的影响。 数值结果表明：随着放电气压的升高，离子在鞘层中的动能变小和密度变大，电极上鞘层的瞬时电压下降，以及电子鞘层的瞬时厚度变薄；由于偏压电极的面积小于接地电极的面积，使得两个电极附近的射频鞘层是非对称性的，即偏压电极鞘层上的瞬时电压大于接地电极鞘层上的瞬时电压。同时还显示了两个电极鞘层上的平均电压随着两个电极面积之比的变化关系，两个电极的面积之比越大，它们的平均鞘层电压之比也越大。
王丽红[10]2006年在《双频容性耦合等离子体鞘层中带电粒子输运的流体力学模拟》文中提出在电容耦合式放电等离子体刻蚀工艺中,通常在放有基体的极板上施加以13.56兆赫兹的射频偏压,但这种单一频率的放电方法不能解决提高等离子体密度和控制刻蚀速率、刻蚀剖面之间的矛盾,因此近年来在极板上同时施加高频和低频两个射频偏压的双频电容耦合式放电的刻蚀工艺越来越受到关注。与单频电容耦合放电相比,在双频电容耦合放电等离子体中的离子和电子受到的是两个不同频率的射频偏压的调制,从而使等离子体表现出更为复杂的运动行为。实验已经证实通过选择适当的频率比可以更精确的控制离子密度和轰击到基板上的离子能量并且使可调控的离子能量范围更大。但是,目前关于双频电容耦合放电等离子体鞘层物理特性特别是两个频率的射频偏压同时加在一个极板上情况下的等离子体鞘层物理特性还少有研究。 本文针对双频电容耦合放电等离子体鞘层建立了自洽的流体力学模型,由于模型包含了所有时间相关项,因而适用于描述较宽频率段的鞘层演化行为;此外采用等效回路方法自洽地确定极板上的电位波形和双频偏压的瞬时关系。 本文分别针对金属和绝缘基片研究了双频条件下的等离子鞘层特性和参数如鞘层内的电势和电场的时空分布,以及射频偏压的频率和功率对极板电压、鞘层厚度和轰击到基板上的离子能量分布的影响,模拟结果表明:无论是金属还是绝缘基片,低频偏压的频率和功率是决定等离子体行为的关键物理量;绝缘膜的厚度会对基片表面电势产生明显影响;双频条件下轰击到极板上的离子能量分布具有多峰结构。
参考文献：
[1]. 碰撞效应对射频等离子体鞘层特性及刻蚀剖面的影响[D]. 邱华檀. 大连理工大学. 2002
[2]. 射频及脉冲偏压等离子体鞘层流体动力学模拟[D]. 戴忠玲. 大连理工大学. 2004
[3]. C_4F_8/Ar等离子体刻蚀SiO_2的多尺度研究[D]. 眭佳星. 大连理工大学. 2015
[4]. 双频容性耦合等离子体特性的实验研究[D]. 袁强华. 苏州大学. 2009
[5]. 射频容性耦合等离子体物理特性的PIC/MCC模拟研究[D]. 肖允庚. 大连理工大学. 2008
[6]. 基于Monte Carlo方法的RIE工艺模拟[D]. 刘梁. 东南大学. 2015
[7]. 双频容性耦合等离子体鞘层特性的流体力学模拟[D]. 刘传生. 大连理工大学. 2008
[8]. 射频电容耦合等离子体的流体动力学/Monte-Carlo混合模型数值模拟[D]. 王懿翎. 大连理工大学. 2007
[9]. 碰撞对非对称射频等离子体鞘层物理特性的影响[D]. 芦岩. 大连理工大学. 2004
[10]. 双频容性耦合等离子体鞘层中带电粒子输运的流体力学模拟[D]. 王丽红. 大连理工大学. 2006