邹文利[1]2003年在《IIIA族单卤化物分子电子态的实验与理论研究》文中认为IIIA 族单卤化物对半导体和光电材料的开发和激光介质的寻找起着十分重要的作用。但是目前,IIIA 族单卤化物在实验上所观测到的电子光谱还有很多谱带没有归属,有的结果还存在疑问,还有的受实验方法限制,光谱难以分辨。理论上,目前的研究大都集中在基态上,激发态研究的较少,因此对此系列分子电子态结构的了解还不清楚。本论文从实验和理论两个方面对IIIA 族单卤化物的电子态进行研究。主要工作有:1. 观测InBr 分子C 1Π→Χ1Σ+跃迁的激光诱导荧光光谱,首次获得了C1Π态较为可靠的实验光谱常数。2. 用各种量子化学理论方法(TDDFT,CCSD-LRT,MCQDPT,MR-CISD,MR-CISD+Q,MR-AQCC,等),首次研究了BBr,InCl,InBr 和InI 分子包括Rydberg 态在内的电子激发态,获得了与实验值符合比较好的光谱常数,预测了跃迁特性。利用理论计算结果澄清和解决了一些前人实验结果存在的问题。此外对InH 分子也进行了计算,获得了比前人更好的理论结果。
曹云斌[2]2013年在《GaX（X=F，Cl，Br）分子势能函数和光谱性质的研究》文中提出IIIA族单卤化物具有独特的物理、化学特性和广阔的应用前景，长期以来受到人们的广泛关注，并且取得了重大的科研成果，例如发现了它们对新型半导体和光电材料的开发起着十分重要的作用。本文用多参考组态相互作用（MRCI）方法,选用aug-cc-pv5z基组计算了卤镓二聚物（GaX，X=F，Cl，Br）的基态和3П电子态的势能曲线。获得了势能曲线之后，我们分两种方法对GaX的光谱性质进行了研究。首先运用Murrel-Sorbie（MS）势能函数和最小二乘方法拟合得到电子态的解析势能函数。通过得到的解析势能函数计算出二阶、叁阶和四阶力常数，由此确定了平衡几何结构、离解能等。在解析势能函数的基础上，通过求解分子中核运动的薛定谔方程得到各电子态的光谱常数，与实验值和理论值进行比较。第二种方法是，借助LEVEL程序求解分子中核运动的薛定谔方程，得到了GaX的振转能级,再根据Dunham系数与光谱常数的对应关系，我们得到了GaX分子的光谱常数。我们将MLR函数代入势能曲线得到了解析势能函数。我们计算的光谱常数和实验值相吻合，这说明用多参考组态相互作用（MRCI）方法,选用aug-cc-pv5z基组计算得到的卤镓二聚物的势能曲线非常精确，并且可以用于进一步研究。所有的均方根误差均小于化学精度的要求，这说明通过拟合获得的解析势能函数很好地再现了势能曲线，并且可用于动力学研究，或者构建包含该分子的更复杂体系的势能面。通过详细的对比分析各个分子的光谱常数，我们发现分子的结构和特征有一些规律性变化。随着卤族元素电子层数的增加，计算得到的GaX体系基态和3П电子态平衡键长越来越大，而其它光谱常数越来越小。通过的GaX平衡核间距变大，而离解能变小，我们得出：GaX体系随着电子壳层的增加，分子能量稳定性降低。
李云静, 林美荣, 邹文利, 张包铮, 陈文驹[3]2000年在《InBr分子光谱研究》文中指出ＩＩＩＡ族单卤化物由于其在卤素刻蚀半导体材料中的重要作用及在半导体淀积生成新的光电材料过程中作为一种重要媒介物而引起人们的关注．尤其是近年来报道了ＩＩＩＡ族单卤化物在可见光波段类似稀有气体单卤化物，具有激光作用的电子谱，更引起了人们的极大兴趣．因此，研究
参考文献：
[1]. IIIA族单卤化物分子电子态的实验与理论研究[D]. 邹文利. 南开大学. 2003
[2]. GaX（X=F，Cl，Br）分子势能函数和光谱性质的研究[D]. 曹云斌. 鲁东大学. 2013
[3]. InBr分子光谱研究[J]. 李云静, 林美荣, 邹文利, 张包铮, 陈文驹. 量子电子学报. 2000