MEMS反射镜静电斥力致动单元电容建模论文_闫思齐1,姜苈峰2

MEMS反射镜静电斥力致动单元电容建模论文_闫思齐1,姜苈峰2

(1.空军航空大学,吉林长春,130022;2. 空军航空大学,吉林长春,130022)

摘要:微静电斥力致动器由固定指端和移动指端组成,由于两层指端的边界结构复杂,建立的分析模型也非常复杂,其中主要是由于指端结构参数与电容的影响。本文利用保角变换技术建立了MEMS反射镜静电斥力致动单元电容的解析模型,该模型的给出能简化模型中的电容变量,为下一步力的建模求解提供便捷。

关键词:MEMS;保角变换

1电容建模

是基本单元上部的电容,因为是每单位长度的电容值,与长度无关联,它可以通过规范斥力致动器的截面尺寸来计算。、、和这四个结构参数中的一个参数可以用于标准化。例如,选择上部分的固定指端宽度g标准化,使致动器的横截面尺寸标准化。

(1)

其中、、、和分别是、、、和的归一化值。上部分的固定指端宽度表示致动器的横截面尺寸的刻度。由于横截面的垂直尺寸是一个变量,为了简单起见,在本文的其余部分中,只是指致动器横截面的横向尺度。标准化后:

(2)

为了求得电容,通过连续四次保角变换,变为由平行场线连接的两个平行等位线的构形。通过保角变换,每单位长度的的电容值保持不变[18],因此,可以使用平行板电容器R面计算。

(3)

其中,x是等电位线的长度,y是它们之间的距离。

期刊文章分类查询,尽在期刊图书馆x和y可以从四个保角变换函数中求得,即、、、和。

(4)

(5)

(6)

(7)

(8)

为线性变换。、和参考[1]。使用Schwarz–Christoffel保角变换技术[2]。为反雅可比椭圆函数。(推导的细节可在附录B第一节中找到。)分别对应平面上各自的坐标点,分别。分别对应在W平面上的坐标点,可通过求得:

(9)

(10)

(11)

其中:

(12)

(13)

保角变换后,求得为:

(14)

其中,为平面Q实轴上的平面D右侧的任意一点。

2电容相对于H的变化率

将公式(14)两侧对h求导得:

(15)

其中,为椭圆积分,由公式(11)可求得:

(16)

可由公式(9)(10)推导出。

3 小结

本文利用保角变换技术建立了指端单元电容的解析模型,该模型的给出能简化模型中的电容变量,为下一步力的建模求解提供便捷。

参考文献

[1] F. Bowman, Introduction to Elliptic Functions with Applications, 1st ed. London, U.K.: English Univ. Press, 1953, pp. 56–60.

[2] J. W. Brown and R. V. Churchill, Complex Variables and Applications, 6th ed. New York: McGraw-Hill, 1996, pp. 326–344.

论文作者:闫思齐1,姜苈峰2

论文发表刊物:《科技新时代》2018年7期

论文发表时间:2018/9/12

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