• PECVD法制备含氟碳膜工艺及机理研究

    PECVD法制备含氟碳膜工艺及机理研究

    李幼真[1]2002年在《PECVD法制备含氟碳膜工艺及机理研究》文中研究表明含氟碳膜是一种很有应用前景的集成电路用介质材料,其低的介电常数和较好的热稳定性使它可以取代传统的SiO_2作为致密、高速集成电路的金属互连线间的绝缘隔离层,从而提高集成电路的速度和效率。本文系统阐述了薄膜的特点、制备方法以...
  • 类金刚石膜的制备与特性研究

    类金刚石膜的制备与特性研究

    汲大朋[1]2007年在《电化学法沉积类金刚石膜的研究》文中指出类金刚石膜(DLC)具有许多优异的性能,包括高耐磨性、低摩擦系数、热稳定性、优良的光学性能、高阻抗值、良好的生物相容性等等,使其在很多领域具有相当的应用前景。类金刚石膜的制备分为气相法和液相法,气相法的发展较早,工艺成熟;而液相法是一种...
  • 镁、铝类氢类氦类锂双电子复合的理论研究

    镁、铝类氢类氦类锂双电子复合的理论研究

    盛勇[1]2001年在《镁、铝类氢类氦类锂双电子复合的理论研究》文中研究表明本文研究的对象是双电子复合(dielectronicrecombination,DR)过程,它要经历双电子俘获和辐射衰落两步才能完成。用Cowan多组态HFR程序系统地计算了镁和铝的类氢类氦类锂的双电子复合系数,并讨论了自电...
  • 黑腔X光辐射的模型分析及辐射温度的实验研究

    黑腔X光辐射的模型分析及辐射温度的实验研究

    黄天晅[1]2001年在《黑腔X光辐射的模型分析及辐射温度的实验研究》文中进行了进一步梳理黑腔X光约束和能量再分配是间接驱动惯性约束聚变(ICF)研究的一个重要课题。本文利用辐射烧蚀热波(AHW)的自相似解建立了对被烧蚀物质积分的质量和能量守恒方程。使用视角因子的方法把所有腔壁面元的加热过程耦合起来...
  • 以SiCl4为气源用PECVD方法低温沉积多晶硅薄膜

    以SiCl4为气源用PECVD方法低温沉积多晶硅薄膜

    黄创军[1]2001年在《以SiCl_4为气源用PECVD方法低温沉积多晶硅薄膜》文中提出多晶硅薄膜以其优异的光电性能和较低的制备成本在能源信息工业中,日益成为一种非常重要的电子材料,被广泛应用于大规模集成电路和半导体分立器件。高效、稳定、廉价的多晶硅薄膜太阳电池有可能替代非晶硅薄膜太阳电池成为新一...
  • 等离子体填充大功率微波器件及其相关问题的理论研究

    等离子体填充大功率微波器件及其相关问题的理论研究

    高宏[1]1999年在《等离子体填充大功率微波器件及其相关问题的理论研究》文中指出近年来,一系列的实验研究表明,在高功率微波器件中填充等离子体可以大大增强其电子束与波的互作用效率,提高功率输出的水平;理论研究进而表明等离子体的参与有以下几个突出优点:1.由于等离子体电荷中和效应可以使器件在高于真空电...
  • 超短脉冲激光与物质相互作用中电子行为的研究

    超短脉冲激光与物质相互作用中电子行为的研究

    张文静[1]2016年在《相干介质对极端驱动场响应的研究》文中认为不同条件下光与相干介质间相互作用的研究一直是量子光学领域的研究热点之一该研究将有助于人们更好地了解和认识外场与物质互作用过程的微观机制。随着激光技术的不断发展,极端条件下的光场获取已成为可能,如超强的少周期超短脉冲。当此少周期超短脉冲...