![电力系统继电保护的常见事故分析论文_余昕]()
国网武汉供电公司变电检修室湖北武汉430050摘要：继电保护不仅能够为电力系统的稳定运行提供保障，同时也能为电力行业的发展起到积极作用。在不断发展的过程中，形成了多种多样的继电...
![继电保护可靠性分析及提高措施论文_施强]()
（国网安庆供电公司安徽安庆市246001）摘要：随着电力负荷的不断增长，对电网的安全可靠运行正进行着严峻的考验，保证继电保护可靠运行具有十分重要意义，通过分析影响继电保护可靠运...
![基于MEMS驱动器的电感谷开关控制器论文_闫思齐 姜苈峰]()
（1.空军航空大学，吉林长春，130022；2.空军航空大学，吉林长春，130022）摘要：模拟器对功耗有严格要求限定，为了进一步降低模拟器平视显示系统能量损耗，必须提出新的开...
![改善微波功率SiGe HBTs线性度的仿真研究]()
刘亮[1]2004年在《改善微波功率SiGeHBTs线性度的仿真研究》文中提出锗硅技术因其良好的集成功能以及优越的高频性能而在微波功率器件领域和射频集成电路领域中得到了广泛的应用，而制造高线性度的微波功率锗硅异质结晶体管（SiGeHBT）也成为一个非常有实际意义的课题。已有实验通过研究SiGeHBT...
![a-Si：H TFT SPICE模型的研究]()
肖鹏[1]2016年在《氧化物薄膜晶体管及其有源材料的研究》文中研究说明薄膜晶体管(TFT)是液晶显示(LCD)和有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)显示背板的核心部件;其中基于金属氧化物半导体有源层的TFT由于具有迁移率较高、成本低、工艺温度较低、均匀性好、对可见光透明以及与a-SiTFT产线兼...
![InGaAs/InP HBT的直流特性分析与设计]()
陈雷东[1]2003年在《InGaAs/InPHBT的直流特性分析与设计》文中研究说明本文设计了一种新材料结构的InGaAs／InP双异质结晶体管(DHBT)，并利用双异质结电流模型计算和分析了材料结构参数对InGaAs／InPDHBT集电极电流、复合电流、电流增益、I—V输出特性和开启电压的影响，...
![碳化硅场效应晶体管技术与特性研究]()
徐昌发[1]2002年在《碳化硅场效应晶体管技术与特性研究》文中研究表明SiC材料由于具有宽禁带、高临界击穿电场、高饱和电子漂移速度、较大的热导率等优良特性，因此成为制作高温、高频、大功率器件的理想半导体材料。本文主要研究SiC场效应晶体管的特性和制作工艺。论文分析建立了4H-SiCMOSFET和M...
![GaAs基HBT材料的外延生长及其特性研究]()
徐安怀[1]2004年在《InP基及含磷异质结双极晶体管材料结构设计与气态源分子束外延生长研究》文中研究表明异质结双极晶体管(HBT)是光纤通信和无线通信系统中的关键器件之一，有着广阔的应用前景，对它的研究具有重要的学术意义和实际价值。为此，本论文对InP基HBT结构的设计、重碳掺杂p型InGaAs...
