bn论文

工艺参数对氮化硼薄膜结构相的影响
王旭天[1]2017年在《氮化硼/石墨烯复合薄膜的制备及表征》文中研究表明石墨烯具有极高的载流子迁移率,优异的热导率以及极高的机械强度,这些优点使石墨烯在电子器件方面的应用有着极大的潜力和研究价值。六方氮化硼薄膜为衬底的石墨烯具有远高于硅片上面的载流子迁移率以及氮化硼薄膜本身的热稳定性和深紫外吸收性...
立方氮化硼薄膜的汽相成核与生长研究
崔贲涛[1]2000年在《立方氮化硼薄膜的汽相成核与生长研究》文中指出立方氮化硼（c-BN）是一种新型的人工合成宽带隙半导体材料，它具有许多优异的机械学、热学、电学和光学特性，有广泛的应用前景。因而c-BN薄膜的成核与生长研究也成为一个倍受关注的研究热点。在对近年来c-BN薄膜的制备技术、生长机理模...