![基于思维导图的三极管教学方法探索论文]()
基于思维导图的三极管教学方法探索张凡王能庆胡中秋（湖北工业大学电气与电子工程学院湖北·武汉430068）摘要MOSFET和BJT三极管是“模拟电子技术”课程中的重...
![高频功率MOSFET驱动电路及并联特性研究]()
苏娟[1]2003年在《高频功率MOSFET驱动电路及并联特性研究》文中进行了进一步梳理目前，用于晶体生长的区熔式单晶炉配套使用的是国外进口或国内生产的真空电子管式高频感应加热电源，存在诸如可靠性差、电子管使用寿命短、操作不安全、变换效率低等问题。由于工作频率非常高(1MHz～2.5MHz)，现有技...
![碳化硅场效应晶体管技术与特性研究]()
徐昌发[1]2002年在《碳化硅场效应晶体管技术与特性研究》文中研究表明SiC材料由于具有宽禁带、高临界击穿电场、高饱和电子漂移速度、较大的热导率等优良特性，因此成为制作高温、高频、大功率器件的理想半导体材料。本文主要研究SiC场效应晶体管的特性和制作工艺。论文分析建立了4H-SiCMOSFET和M...
![应用于下一代MOSFET中的高介电栅介质材料的研究]()
陆旭兵[1]2002年在《应用于下一代MOSFET中的高介电栅介质材料的研究》文中研究指明随着微电子技术的飞速发展,半导体器件的特征尺寸按摩尔定律不断缩小,SiO2作为MOSFET的栅介质材料在几年之内将不能满足需求,以此为背景应用于下一代MOSFET的高介电栅介质材料成为当今微电子材料的研究热点。...
![MOS器件总剂量辐射加固技术研究]()
肖志强[1]2011年在《SOI器件电离总剂量辐射特性研究》文中指出SOI(Silicon-on-insulator)技术已经得到了广泛应用,被国际上公认为“二十一世纪的硅集成电路技术”,抗辐射领域是SOI技术最初、最重要的应用领域,依然保持着持续的发展。本文对低压SOICMOS、高压SOICMOS...
