• 《真空与低温》杂志 2004 年总目录

    《真空与低温》杂志 2004 年总目录

    一、《真空与低温》杂志2004年总目次(论文文献综述)刘强[1](2006)在《对热真空环模试验设备设计中有关问题的讨论》文中研究指明热真空环模试验设备是专项设备,应用面相对比...
  • 硅基薄膜中金属颗粒对发光特性的影响

    硅基薄膜中金属颗粒对发光特性的影响

    吴雪梅[1]2002年在《金属和半导体颗粒复合硅基薄膜的结构及发光特性的研究》文中认为光电子信息材料是本世纪最受关注的材料之一,光电子集成器件在信息时代有极其重要的作用。由于硅的平面集成工艺已相当成熟,所以从工艺兼容性考虑,用硅基材料作为发光器件将是最佳的选择,而其获得应用的关键是提高发光效率。我们...
  • 离子束溅射法制备C-N薄膜的研究

    离子束溅射法制备C-N薄膜的研究

    柳翠[1]2001年在《离子束溅射法制备C-N薄膜的研究》文中提出本文对离子源的溅射特性进行了研究,采用离子束溅射法制备了TiN_y单层薄膜和CN_x/TiN_y多层薄膜,探索该法制备CN_x薄膜的最佳工艺参数,并利用TiN_y薄膜为衬底以促进CN_x薄膜的生长。溅射特性研究结果表明:屏极电压和溅射...
  • 氧化钒薄膜的制备及特性研究

    氧化钒薄膜的制备及特性研究

    王蒙[1]2016年在《石墨烯—氧化钒复合敏感材料的制备与特性研究》文中进行了进一步梳理红外探测技术具有广阔的应用前景,越来越引起各国的关注。但是,我国的非制冷红外探测器的研究进展缓慢,关键部件主要依赖进口,阻碍了红外探测器在各领域的应用普及。高质量的红外敏感材料是红外探测器发展的关键因素。因此,研...
  • 薄膜电感的制备研究

    薄膜电感的制备研究

    陈赵豪[1]2015年在《基于闭合磁路的框式薄膜电感的制备与性能研究》文中研究指明随着电子技术的快速发展,对电路系统的集成度要求也越来越高,作为叁大无源器件之一的电感器,必然要向着小型化,高频化的趋势发展,研究重点集中于提高电感量。本文从减少漏磁的角度出发,设计出磁芯磁路闭合的特殊磁芯电感,以及用于...
  • ZnO薄膜和ZnO紫外探测器

    ZnO薄膜和ZnO紫外探测器

    陈汉鸿[1]2002年在《ZnO薄膜和ZnO紫外探测器》文中研究说明ZnO是一种多用途的材料。传统上,ZnO薄膜被广泛应用于声表面波器件,体声波器件、气敏传感器、压敏电阻、透明导电电极等。近年来,ZnO作为宽带半导体材料的的研究越来越受到们的重视。ZnO薄膜的生长温度一般低于700℃,比GaN(生长...
  • 金属和半导体颗粒复合硅基薄膜的结构及发光特性的研究

    金属和半导体颗粒复合硅基薄膜的结构及发光特性的研究

    吴雪梅[1]2002年在《金属和半导体颗粒复合硅基薄膜的结构及发光特性的研究》文中进行了进一步梳理光电子信息材料是本世纪最受关注的材料之一,光电子集成器件在信息时代有极其重要的作用。由于硅的平面集成工艺已相当成熟,所以从工艺兼容性考虑,用硅基材料作为发光器件将是最佳的选择,而其获得应用的关键是提高发...
  • 工艺参数对氮化硼薄膜结构相的影响

    工艺参数对氮化硼薄膜结构相的影响

    王旭天[1]2017年在《氮化硼/石墨烯复合薄膜的制备及表征》文中研究表明石墨烯具有极高的载流子迁移率,优异的热导率以及极高的机械强度,这些优点使石墨烯在电子器件方面的应用有着极大的潜力和研究价值。六方氮化硼薄膜为衬底的石墨烯具有远高于硅片上面的载流子迁移率以及氮化硼薄膜本身的热稳定性和深紫外吸收性...
  • SiC薄膜的溅射法制备与结构性能研究

    SiC薄膜的溅射法制备与结构性能研究

    谭利文[1]2000年在《SiC薄膜的溅射法制备与结构性能研究》文中研究指明本文采用偏压辅助射频溅射法,在单晶Si、石英和不锈钢衬底上沉积SiC薄膜,在衬底没有附加热源加热的条件下,成功地制备出具有(111)择优取向的微晶SiC薄膜,并研究了主要的工艺参数对SiC薄膜生长特性的影响。实验结果表明,在...