![几种半导体发光材料最佳掺杂含量的理论研究]()
陈玖琳[1]2003年在《几种半导体发光材料最佳掺杂含量的理论研究》文中研究表明半导体发光材料和器件是六十年代发展起来的半导体技术中的一个分支，单一的纯净本征半导体的性能往往不能满足实际的需要，发光效率或发光几率低，发光强度弱，提高发光效率的有效途径就是进行材料的掺杂改性。实验上发现，对发光材料的掺...
![溶胶—凝胶法制备Al3+：ZnO薄膜及其性能研究]()
陈雯雯[1]2007年在《溶胶—凝胶法制备Al掺杂ZnO（AZO）薄膜及其性能研究》文中进行了进一步梳理透明导电氧化物薄膜因其具有低的电阻率和在可见光范围内高的透射率，在太阳能电池、液晶显示等领域获得了广泛应用。透明导电氧化物薄膜主要包括SnO_2、In_2O_3、ZnO及上述氧化物的掺杂系列。Zn...
![硅基薄膜中金属颗粒对发光特性的影响]()
吴雪梅[1]2002年在《金属和半导体颗粒复合硅基薄膜的结构及发光特性的研究》文中认为光电子信息材料是本世纪最受关注的材料之一，光电子集成器件在信息时代有极其重要的作用。由于硅的平面集成工艺已相当成熟，所以从工艺兼容性考虑，用硅基材料作为发光器件将是最佳的选择，而其获得应用的关键是提高发光效率。我们...
![硅基薄膜材料的发光特性]()
夏磊[1]2007年在《常压等离子化学气相沉积制备纳米多孔硅基薄膜的过程和特性研究》文中研究说明本文中主要阐述了通过常压介质阻挡放电等离子体化学气相沉积(APECVD)方法，利用硅烷(SiH_4)为硅源，与氩气(Ar)、氢气(H_2)按照一定配比混合，在不同的反应条件下进行气相沉积反应，并通过引入脉...
![Mg2Ni贮氢合金的制备及性能改进研究]()
陈乐乐[1]2012年在《铸态及退火态La-Mg-Ni系A_2B_7型贮氢合金的相结构及电化学性能研究》文中研究说明Re-Mg-Ni系贮氢合金是近10年来发展起来的新一代高性能稀土贮氢材料，并且已经于高端镍氢电池中得到初步应用。为了提高我国稀土贮氢材料在高端市场中的竞争力，开发新型稀土镁基贮氢合金及...
