光电探测器论文

一、零维Ge和一维ZnO纳米结构与器件（论文文献综述）柳柏杉[1]（2021）在《范德华异质结载流子行为与光电性能调控研究》文中研究说明以MoS2,WSe2为典型代表的二维半导...

张爽[1]2004年在《用于紫外光探测器的TiO_2及其复合氧化物的结构和光学性质研究》文中研究表明紫外光探测器无论在军用还是在民用上都有重要的应用价值，所以引起人们的极大关注。近年来，随着材料制备技术的发展而迅速发展。目前研究较多的是宽禁带半导体GaN基紫外光探测器，并且取得了大的进展。基于宽禁带...

管保柱[1]2004年在《象限式红外探测器部分光电参数测试研究与系统实现》文中研究指明象限式红外探测器是红外制导、红外跟踪系统中的核心部件,其性能指标直接关系到系统的工作特性。因此对探测器的参数测试极为重要。本文以象限式红外探测器参数测试系统为研究对象,系统地研究了象限式红外探测器主要参数的测量原理...

陈汉鸿[1]2002年在《ZnO薄膜和ZnO紫外探测器》文中研究说明ZnO是一种多用途的材料。传统上，ZnO薄膜被广泛应用于声表面波器件，体声波器件、气敏传感器、压敏电阻、透明导电电极等。近年来，ZnO作为宽带半导体材料的的研究越来越受到们的重视。ZnO薄膜的生长温度一般低于700℃，比GaN(生长...

张爽[1]2004年在《用于紫外光探测器的TiO_2及其复合氧化物的结构和光学性质研究》文中认为紫外光探测器无论在军用还是在民用上都有重要的应用价值，所以引起人们的极大关注。近年来，随着材料制备技术的发展而迅速发展。目前研究较多的是宽禁带半导体GaN基紫外光探测器，并且取得了大的进展。基于宽禁带半导...

张昊翔[1]2001年在《硅基GaN薄膜材料及紫外探测器原型器件研究》文中研究说明近年来，宽禁带半导体材料GaN在短波长发光器件、光探测器件以及抗辐射、高频和大功率电子器件方面的广阔应用前景而备受关注，发展十分迅速。由于体单晶难以制备，生长高质量的单晶薄膜材料是研究开发GaN基器件的基本前提条件。目...

石富文[1]2001年在《硬X射线光电阴极的研究》文中指出本文系统地分析了X射线与物质的基本相互作用的基本过程。探讨了X射线光电发射的基本特点。并在前人的基础上扩展了X射线光阴极的半经典模型，将其应用于研究透射式X射线光电阴极发射特性，并对CsI光阴极的光电发射特性进行了数值分析；与此同时，进行了大...

杜鸣笛[1]2014年在《基于金属交叉电极耦合谐振腔增强结构的高性能光电探测器研究》文中研究指明光电探测器是光纤通信系统的基本器件,也是混频法产生无线波的重要元件。随着高速光纤通信和太赫兹(THz)波的发展,这就要求光电探测器向高速方向发展。金属-半导体-金属交叉电极具有很低的电容而被广泛地应用于高...